Toshiba TK TK32A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

: -55°C, MPN: C3216C0G2J182J115AA.

Seeed Studio ODYSSEY ?STM32MP157C 32 Bit Development Board ARM, MPN: 102110319.

RS PRO Dichtungsmaterial Gepresste Fasern Blau, 1.): 100bar, Länge: 750mm.5mm x 750 x 500mm, Betriebstemperatur (max.

TE Connectivity AMPLIMITE Schiebeschloss für Sub-D Steckverbinder, Zur Verwendung mit: AMPLIMITE Subminiatur-D-Steckverbinder, MPN: 5745583-5.

2V.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

Omron Digitaler Ausgang für NX, MPN: NXOD51211.

: +125°C, Schalter Gehäuse: PBT, Lebensdauer mechanisch: 10000000Operations, Schalt-Lösekraft: 34gf, Nennspannung: 125/250V ac, Betriebstemperaturbereich: -40 → +125°C, Erfüllte Normen: cUL, ENEC, UL, Schaltfolge: Sprungmechanismus, MPN: 2439028-5.TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Kurzer Hebel-Betätiger Schnellverbindung, 10A, 1-poliger Umschalter 190 g, Betriebstemperatur min.

: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: 13,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Toshiba TK TK32A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.

: +125°C, Schalter Gehäuse: PBT, Lebensdauer mechanisch: 10000000Operations, Schalt-Lösekraft: 34gf, Nennspannung: 125/250V ac, Betriebstemperaturbereich: -40 → +125°C, Erfüllte Normen: cUL, ENEC, UL, Schaltfolge: Sprungmechanismus, MPN: 2439028-5.TE Connectivity Sprungkontakt-Mikroschalter Kurzer Hebel-Betätiger Schnellverbindung, 10A, 1-poliger Umschalter 190 g, Betriebstemperatur min.

: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TK TK32A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.