Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQW61N65EF-GE3
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Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD
Specifications of Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 62 A, 3-Pin TO-247AD | |
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