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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK90ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.4mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK90ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.4mm

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK90ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK90ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK90ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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