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ROHM SCT2280KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: SiC.ROHM SCT2280KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max

ROHM SCT2280KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max.: 0,28 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: SiC

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ROHM SCT2280KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N

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Specifications of ROHM SCT2280KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 14 A, 3-Pin TO-247N

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