onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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