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Onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : +150 °C.83mm, Betriebstemperatur max

onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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