Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0095 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiS178LDN-T1-GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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