Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0019 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiJ450DP-T1-GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 113 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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