Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
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Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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