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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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ROHM RU1C002ZP RU1C002ZPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-323

About The 3V, Gate-Source Spannung max.2V, Höhe: 1mm

ROHM RU1C002ZP RU1C002ZPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323FL, Drain-Source-Widerstand max.: 9,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1mm

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ROHM RU1C002ZP RU1C002ZPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-323

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Specifications of ROHM RU1C002ZP RU1C002ZPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-323

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