onsemi NTH NTHL080N120SC1A N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTH NTHL080N120SC1A N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Onsemi NTH NTHL080N120SC1A N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-247 | |
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