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IXYS HiperFET IXFH80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247

About The : 2.: ±20 V, Länge: 16

IXYS HiperFET IXFH80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 16.24mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET IXFH80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS HiperFET IXFH80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247

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