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STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.6mm

STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 4.6mm

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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