onsemi SuperFET II FCP190N60E N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.67mm
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Onsemi SuperFET II FCP190N60E N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Onsemi SuperFET II FCP190N60E N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220 | |
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