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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Onsemi FCMT125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi FCMT125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4, Drain-Source-Widerstand max

onsemi FCMT125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Onsemi FCMT125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

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Diskrete Halbleiter

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Amphenol Industrial connector,metal circ,rt angle plug,size 14s,4#16 solder socket cont,olive drab

Amphenol Industrial connector,metal circ,rt angle plug,size 14s,4#16 solder socket cont,olive drab

Amphenol Industrial connector,metal circ,rt angle plug,size 14s,4#16 solder socket cont,olive drab, MPN: 97-3108A-14S-2S.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Rundsteckverbinder
  • MIL-Spec Rundsteckverbinder
  • Amphenol Industrial
    • Omron H3Y-4 Zeitrelais, DIN-Schiene, Tafelmontage, 0.5 → 10s, 200 → 230V ac, 4 Kont.

    Omron H3Y-4 Zeitrelais, DIN-Schiene, Tafelmontage, 0.5 → 10s, 200 → 230V ac, 4 Kont.

    : 5A, Spannung (max.5mm, Tiefe: 63mm, Länge: 28mm, MPN: H3Y-4 AC200-230 10S Omron H3Y-4 Zeitrelais, DIN-Schiene, Tafelmontage, 0.5 → 10s, 200 → 230V ac, 4 Kont. Einfach, 4-poliger.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Relais
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  • Omron
    • Murata Trimm-Kondensator, 30pF bis 60pF 50V ac

    Murata Trimm-Kondensator, 30pF bis 60pF 50V ac

    3mm, Kapazitäts-Bereich: 30 → 60pF, Betriebstemperatur max.

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  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Variable Trimmkondensatoren
  • Murata
    • Abracon Oszillator MEMS 25MHz ±50ppm, 4-Pin 3.2 x 2.5 x 0.85mm QFN

    Abracon Oszillator MEMS 25MHz ±50ppm, 4-Pin 3.2 x 2.5 x 0.85mm QFN

    : -40°C, MPN: ASEMB-25.5mm, Betriebstemperatur max.

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  • Passive Bauelemente
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  • Silizium-Oszillatoren
  • Abracon
    • Wurth Elektronik WCAP-ASNP, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 6.3V dc, Ø 10.5mm x 9.85mm, +85°C

    Wurth Elektronik WCAP-ASNP, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 6.3V dc, Ø 10.5mm x 9.85mm, +85°C

    5 (Dia.5mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 148,05 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 190mA, MPN: 865250157009.

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  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik WCAP-ASNP, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 10V dc, Ø 5.5mm x 4.85mm, +85°C

    Wurth Elektronik WCAP-ASNP, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 10V dc, Ø 5.5mm x 4.85mm, +85°C

    Wurth Elektronik WCAP-ASNP, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 22μF ±20% / 10V dc, Ø 5.5mm x 4.

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    • Festo D, 40μm Filterregler, Anschluss G1/8 bis 12 bar

    Festo D, 40μm Filterregler, Anschluss G1/8 bis 12 bar

    Festo D, 40μm Filterregler, Anschluss G1/8 bis 12 bar, Filtergröße: 40µm, MPN: LFR-1/8-D-O-MINI.

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    onsemi FCMT125N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

    5V, Gate-Schwellenspannung min.: ±30 V, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.

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    Festo D, 40μm Filterregler, Anschluss G1/8 bis 12 bar, Filtergröße: 40µm, MPN: LFR-1/8-D-O-MINI.

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    : 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.

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