reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Texas Instruments

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

About The : -20 V, +20 V, Länge: 6.Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 7,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

Category
Instockinstock

Last Updated

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP
More Varieties

Rating :- 9.36 /10
Votes :- 8