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Onsemi NTMYS010N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The : 17,6 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi NTMYS010N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 17,6 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V

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Onsemi NTMYS010N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Specifications of Onsemi NTMYS010N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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