reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM

ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

About The ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0

ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23

Category
Instockinstock

Last Updated

ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23
More Varieties

Rating :- 9.6 /10
Votes :- 10