STMicroelectronics STWA75N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V
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STMicroelectronics STWA75N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics STWA75N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247 | |
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