Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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