IXYS HiperFET IXFK48N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
About The : -20 V, +20 V, Länge: 19.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
IXYS HiperFET IXFK48N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET IXFK48N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
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Specifications of IXYS HiperFET IXFK48N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA | |
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