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IXYS HiperFET, Polar IXTP75N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220

About The : 5.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Polar IXTP75N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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IXYS HiperFET, Polar IXTP75N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXTP75N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220

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