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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

About The : 0,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRF7341QTR

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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.67 /10
Votes :- 8
Bourns SRR4028 Drosselspule, 10 μH 1.19A mit Ferrit-Kern, 4028 Gehäuse 4.8mm / ±30%, 34MHz
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Bourns
    • RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 13mm, Aussen ø 22mm, 5mm

    RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 13mm, Aussen ø 22mm, 5mm

    RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 13mm, Aussen ø 22mm, 5mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Dichtungen & Dichtungsmaterial
  • Dichtungen
  • RS PRO
    • Phoenix Contact MDSTBA 2.5/ 2-GR-5.08 Steckbarer Klemmenblock Header 2-Kontakte 5.08mm-Raster

    Phoenix Contact MDSTBA 2.5/ 2-GR-5.08 Steckbarer Klemmenblock Header 2-Kontakte 5.08mm-Raster

    Phoenix Contact MDSTBA 2.5/ 2-GR-5.08mm-Raster, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 10.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Anschlussklemmenblöcke
  • Leiterplattensteckverbinder
  • Phoenix Contact
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8

    : 0,0015 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8, Drain-Source-Widerstand max.

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  • MOSFET
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    • Hammond 1590ZGRPBK GF Polyester Gehäuse 1590ZGRPBK Schwarz Außenmaß 190 x 75 x 55mm IP66

    Hammond 1590ZGRPBK GF Polyester Gehäuse 1590ZGRPBK Schwarz Außenmaß 190 x 75 x 55mm IP66

    Hammond 1590ZGRPBK GF Polyester Gehäuse 1590ZGRPBK Schwarz Außenmaß 190 x 75 x 55mm IP66, Länge (Außen): 190 mm, Höhe (Außen): 55 mm, Breite (Außen): 75 mm, Mit Flansch: Nein, Dichtungswerkstoff: Silikon, MPN: 1590ZGRP131BK.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • Gehäuse
  • Universalgehäuse
  • Hammond
    • SKF PHC 16B Carbonstahl Simplex Rollenkette, Teilung 25.4mm, Länge 5m

    SKF PHC 16B Carbonstahl Simplex Rollenkette, Teilung 25.4mm, Länge 5m

    SKF PHC 16B Carbonstahl Simplex Rollenkette, Teilung 25.4mm, Länge 5m, Material: Kohlenstoffstahl, Kettenstandard: BS, MPN: PHC 16B-1X5MTR.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Mechanische Kraftübertragung
  • Rollenketten und Zubehör
  • Rollenketten
  • SKF
    • Texas Instruments Operationsverstärker Leistung THT TO-220, einzeln typ.

    Texas Instruments Operationsverstärker Leistung THT TO-220, einzeln typ.

    9 → 28 V, biplor typ. ±12 V, ±15 V, ±18 ±12 V, ±15 V, ±18, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Pinanzahl: 11, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.5mm, Länge: 20.9 → 28 V, biplor typ.

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  • Verstärker und Komparatoren
  • Operationsverstärker
  • Texas Instruments
    • Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

    Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

    : 3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRF7341QTR.Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Texas Instruments Operationsverstärker Leistung THT TO-220, einzeln typ.

    Texas Instruments Operationsverstärker Leistung THT TO-220, einzeln typ.

    ±12 V, ±15 V, ±18 ±12 V, ±15 V, ±18, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Pinanzahl: 11, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.9 → 28 V, biplor typ.

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  • Verstärker und Komparatoren
  • Operationsverstärker
  • Texas Instruments
    • Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

    Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8

    : 3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRF7341QTR.Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5,1 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max.

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