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Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.4mm

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Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Siemens M12 Buchse für M200D, 125 V

Siemens M12 Buchse für M200D, 125 V

Siemens M12 Buchse für M200D, 125 V, Nennstrom: 4 A, MPN: 3RK1902-1DA00.

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    • SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 62mm, 7mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 62mm, 7mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 62mm, 7mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 35X62X7 HMSA10 RG.

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    • Vishay Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Vishay Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.5W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Vishay Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.

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    • Samtec IPS1 Leiterplattenbuchse Gerade 20-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

    Samtec IPS1 Leiterplattenbuchse Gerade 20-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

    54mm, Typ: Isolierte Stromversorgungs-Buchsenleiste, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Betriebsspannung: 1,095 kV, 775 V, Kontaktmaterial: Bronze, MPN: IPS1-110-01-S-D.Samtec IPS1 Leiterplattenbuchse Gerade 20-polig / 2-reihig, Raster 2.

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    • TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 120Ω ±5% / 5W

    TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 120Ω ±5% / 5W

    : +155°C, Temperaturkoeffizient: ±350ppm/°C, Betriebstemperatur min.TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 120Ω ±5% / 5W, Zusammensetzung:: Keramik, Betriebstemperatur max.

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    • Facom Biteinsatz

    Facom Biteinsatz

    14A.Facom Biteinsatz, Größe: 14 mm, MPN: KT.

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    Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.4mm.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.

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    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 52mm, 8mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 52mm, 8mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 35X52X8 HMSA10 RG.

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    : 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    • SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 52mm, 8mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 52mm, 8mm

    SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 35mm, Aussen ø 52mm, 8mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 35X52X8 HMSA10 RG.

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