Infineon OptiMOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 0,065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPG20N06S2L65AATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 20 A, 8-Pin TDSON | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |