Onsemi RFP12N10L N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220AB
About The onsemi RFP12N10L N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
onsemi RFP12N10L N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi RFP12N10L N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Onsemi RFP12N10L N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220AB | |
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