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IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN420N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 KW, 4-Pin SOT-227

About The : +175 °C.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN420N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 kW, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN420N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 KW, 4-Pin SOT-227

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Specifications of IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN420N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 420 A 1,07 KW, 4-Pin SOT-227

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