onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0193 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of Onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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