DiodesZetex DMN2041L-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,4 A 780 MW, 3-Pin SOT-23

USB-TTL 3V+cavo 1M8+microUSB.

40mm, 110 x 135mm, Platte, Polyurethan-Material 40mm, 110 x 135mm, Platte, Polyurethan-Material, Bremsen beinhaltet: Nein, Lochabstand: 80 x 105mm, Gewichtsklasse: Raue Einsätze, Größe Befestigungslöcher: 10mm, Nabenlager: Kugellager, Nabenmaterial: Gusseisen, MPN: 37559.

2mm, Stärke 1.1mm, Betriebstemperatur (min.RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 6mm / Außen-Ø 8.

Molex Premise Networks LWL-Adapter, SC, Multimode, Duplex, 50/125mm, Kabel ø 5mm, MPN: AFR-00374.

5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±12V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 10 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: DIP 8, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 8mm, Länge: 14mm, Lastausregelung: ±1%, MPN: IEU0305D12.XP Power IEU03 DC/DC-Wandler 3W 5 V dc IN, ±12V dc OUT / ±125mA 1.

75PB.Facom 7 → 19 mm, 13-teilig Sechskant Pfeifenkopfschlüssel Satz, Klingenmaterial: CrV-Stahl, VDE 1000V zugelassen: Nein, MPN: MODM.

Schneider Electric GV4LE Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 3-polig, TeSys, 25A, 690V ac, Betriebsspannung: 690V ac, Breite: 116mm, Auslösemechanismus: Magnetisch, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Ausschaltvermögen: 8 kA @ 660 → 690 V ac, Überlastschaltertyp: Thermisch-magnetischer Schutzschalter, Gesamttiefe: 155mm, Gesamtabmessungen: 81 x 116 x 155mm, Gesamtlänge: 81mm, MPN: GV4LE25N6.

1mm, Länge: 3mm.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Schneider Electric GV4LE Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 3-polig, TeSys, 25A, 690V ac, Betriebsspannung: 690V ac, Breite: 116mm, Auslösemechanismus: Magnetisch, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Ausschaltvermögen: 8 kA @ 660 → 690 V ac, Überlastschaltertyp: Thermisch-magnetischer Schutzschalter, Gesamttiefe: 155mm, Gesamtabmessungen: 81 x 116 x 155mm, Gesamtlänge: 81mm, MPN: GV4LE25N6.

: -12 V, +12 V, Höhe: 1.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1.