Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.02mm
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Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB | |
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