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Onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59

About The onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 75ns, Durchmesser: 2.7mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 35A, MPN: MUR110G

onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 75ns, Durchmesser: 2.7mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 35A, MPN: MUR110G

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Onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59

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Specifications of Onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59

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RS PRO Heizelement Heizpatrone 400 W / 220 V ac, Ø 12,5 mm, Länge 150mm

RS PRO Heizelement Heizpatrone 400 W / 220 V ac, Ø 12,5 mm, Länge 150mm

RS PRO Heizelement Heizpatrone 400 W / 220 V ac, Ø 12,5 mm, Länge 150mm, Abmessungen: 12,5 x 150 mm.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • RS PRO
    • RS PRO Heizelement Heizpatrone 500 W / 120 V ac, Ø 13 mm, Länge 175mm

    RS PRO Heizelement Heizpatrone 500 W / 120 V ac, Ø 13 mm, Länge 175mm

    RS PRO Heizelement Heizpatrone 500 W / 120 V ac, Ø 13 mm, Länge 175mm, Abmessungen: 13 x 175 mm.

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    • TDK, FA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 2μF ±20% / 500V dc, Gehäuse FA2, AEC-Q200
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    TDK, FA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 3μF ±20% / 500V dc, Gehäuse FA3, AEC-Q200

    4mm, Tiefe: 9mm, Betriebstemperatur max.TDK, FA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 3μF ±20% / 500V dc, Gehäuse FA3, AEC-Q200, Kapazität: 3µF, Spannung: 500V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 7.: +150°C, Betriebstemperatur min.

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    • Vishay Serie MBB0207 Dünnschichtwiderstand axial, 6,8MΩ ±1% 0,6W

    Vishay Serie MBB0207 Dünnschichtwiderstand axial, 6,8MΩ ±1% 0,6W

    5mm, Durchmesser: 2.5mm, Temperaturkoeffizient max.6W, Gehäuseform: Conformal, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, Abmessungen: 2.

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    ETA Anschlussklemmenblock für 1180

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    onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59

    onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 75ns, Durchmesser: 2.7mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 35A, MPN: MUR110G.

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    onsemi THT Diode, 100V / 1A, 2-Pin GEHÄUSE 59, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Diodenkonfiguration: Einfach, Diode Typ: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 75ns, Durchmesser: 2.

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