Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0061 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SUM60061EL-GE3
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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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