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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Rating :- 9.2 /10
Votes :- 8
EPCOS B32529 Folienkondensator 1.5nF ±10% / 40 V ac, 63 V dc, THT Raster 5mm

EPCOS B32529 Folienkondensator 1.5nF ±10% / 40 V ac, 63 V dc, THT Raster 5mm

5mm, Toleranz Minus: -10%, Toleranz Plus: +10%, MPN: B32529C0152K000.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • EPCOS
    • Festo NPQH Reduziernippel, Rohr-zu-Rohr, Messing vernickelt, 20 bar chemikalienresistent, Stecker A: 12-mm-Steckanschluss, Stecker B: 6-mm-Steckanschluss, Chemikalienbeständig: Ja, Betriebstemperatur (max.): +150°C, Modellnummer: 578310, Erfüllte Normen: ANSI/NSF 51, FDA 21 CFR 177.1595, FDA 21 CFR 177.2600, NSF H1 Reg.
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatische Verbinder & Leitungen und Schläuche
  • Pneumatische Anschlüsse
  • Festo
    • RS PRO Schaltnetzteil, AUS 12V dc / 1.66A 20W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Gekapselt, PCB-Montage

    RS PRO Schaltnetzteil, AUS 12V dc / 1.66A 20W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Gekapselt, PCB-Montage

    5mm, Tiefe: 23.: -40°C.5mm, Gewicht: 50g, Wirkungsgrad: 82%, Temperatur max.

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  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Netzteile
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  • RS PRO
    • HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Transparent, Ø 12mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm

    HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Transparent, Ø 12mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm

    HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Transparent, Ø 12mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm, Schrumpfdurchmesser: 4mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: -55 →+135 °C, Flammhemmend: Ja, MPN: 308-31215 HIS-3-BAG-12/4-PO-X-CL.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Kabelmuffen und -hülsen
  • Wärmeschrumpfschläuche
  • HellermannTyton
    • HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Rot, Ø 6mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm

    HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Rot, Ø 6mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm

    HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Rot, Ø 6mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm, Schrumpfdurchmesser: 2mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Flammhemmend: Ja, MPN: 308-30611 HIS-3-BAG-6/2-PO-X-RD.

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    • onsemi Buffer & Line-Driver Puffer HCT 8-Bit 3-State Non-Inverting 20-Pin SOIC, Eingangs-Typ: Single Ended, Ausgangs-Typ: 3 Zustände, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -8mA, Signalverzögerungszeit @ max.
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  • onsemi
    • TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 2.2nF ±5% / 450V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 2.2nF ±5% / 450V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    85mm, Länge: 2mm, Tiefe: 1.: +125°C, Betriebstemperatur min.25 x 0.

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  • Keramik Vielschichtkondensatoren
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    • STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

    STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C.: 4,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 2.2nF ±5% / 450V dc, Gehäuse 0805 (2012M)
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    • STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

    STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

    5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.

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