Onsemi MJE5730G THT, PNP Digitaler Transistor –300 V, TO-220 3-Pin
About The 28mm.onsemi MJE5730G THT, PNP Digitaler Transistor –300 V, TO-220 3-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Dauer-Kollektorstrom max
onsemi MJE5730G THT, PNP Digitaler Transistor –300 V, TO-220 3-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Dauer-Kollektorstrom max.: 1 A, Kollektor-Emitter-: 300 V dc, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Gleichstromverstärkung min.: 10, Verlustleistung max.: 40 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V dc, Konfiguration: Single, Abmessungen: 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJE5730G THT, PNP Digitaler Transistor –300 V, TO-220 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJE5730G THT, PNP Digitaler Transistor –300 V, TO-220 3-Pin | |
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