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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
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ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

About The ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

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ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

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Specifications of ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

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ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T
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Diskrete Halbleiter

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Arcol HS50 Wickel Lastwiderstand 8,2Ω ±1% / 50W, Alu Gehäuse Klemme
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Widerstände für Chassismontage
  • Arcol
    • Arcol HS75 Wickel Lastwiderstand ±1% / 75W, Alu Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Widerstände für Chassismontage
  • Arcol
    • TE Connectivity THT DIP-Schalter Piano 4-stellig, 1-poliger Ein/Ausschalter, Kontakte vergoldet 100 mA @ 24 V dc, bis

    TE Connectivity THT DIP-Schalter Piano 4-stellig, 1-poliger Ein/Ausschalter, Kontakte vergoldet 100 mA @ 24 V dc, bis

    : +85°C, Betriebstemperatur min.TE Connectivity THT DIP-Schalter Piano 4-stellig, 1-poliger Ein/Ausschalter, Kontakte vergoldet 100 mA @ 24 V dc, bis, Kontaktanordnung: SPST, Kontaktmaterial: Vergoldete Kupferlegierung, Lebensdauer mechanisch: 1000Operations, Betriebstemperatur max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • DIP- und Kodierte Drehschalter
  • DIL- und SIL-Schalter
  • TE Connectivity
    • RS PRO Backplane-Steckverbinderkontakt, Female, Kabelmontage für DIN41612-Buchsenleiste Typ M
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Backplane & Rack Steckverbinder
  • Backplane Steckverbinder Kontakte
  • RS PRO
    • ROHM Operationsverstärker SMD Strom SSOP, einzeln typ.

    ROHM Operationsverstärker SMD Strom SSOP, einzeln typ.

    : –40 °C, Offset Spannung: 7mV, Ausgangsstrom: 20 (Senke) mA, 30 (Quelle) mA, MPN: BA2902SFV-E2 ROHM Operationsverstärker SMD Strom SSOP, einzeln typ.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Verstärker und Komparatoren
  • Operationsverstärker
  • ROHM
    • KEMET, C1206C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200

    KEMET, C1206C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200

    6 x 1.: +125°C, Betriebstemperatur min.2mm, Tiefe: 1.2μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200, Kapazität: 2.

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  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • KEMET
    • onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    : 2.onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C, MPN: NTMS4177PR2G.

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  • MOSFET
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    • ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

    ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

    ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.

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    • onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    : +150 °C, MPN: NTMS4177PR2G.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

    ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T

    ROHM RSQ045N03HZGTR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A, 6-Pin SOT-457T, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.

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