reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 9V, Gate-Schwellenspannung min.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRF7855TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
More Varieties

Rating :- 9.5 /10
Votes :- 8