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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 X 5 F.

About The 2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiZF906BDT-T1-GE3.: 2

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F., Drain-Source-Widerstand max.: 0,0021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiZF906BDT-T1-GE3

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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 X 5 F.

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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 X 5 F.

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