Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

Name: Infineon - Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand Max.: 4,1 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur Max.: +175 °C, MPN: IPP041N12N3 G
Brand: Infineon
SKU: CAWX-381023
Price: 334.68 EUR
Availability: InStock

About The : +175 °C, MPN: IPP041N12N3 G.Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 4,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPP041N12N3 G

Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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