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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Infineon

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP

About The 11 x 5.33mm, MPN: IR2111PBF

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP, Topologie: Halbbrücke, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Synchron, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 10.92 x 7.11 x 5.33mm, MPN: IR2111PBF

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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP

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Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP

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ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF2402.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF24R0.

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    • Huber+Suhner Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 10Zoll, SMA / SMA, Aussen ø 2.5mm, Blau

    Huber+Suhner Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 10Zoll, SMA / SMA, Aussen ø 2.5mm, Blau

    Huber+Suhner Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 10Zoll, SMA / SMA, Aussen ø 2.5mm, Blau, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Gender Steckverbinder 1: Stecker, Serie: Minibend, Mantelmaterial: FEP, Schirmung: Stahlgeflecht, MPN: 80337853.

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    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF24R0.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.

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    • TE Connectivity AMP-LATCH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

    TE Connectivity AMP-LATCH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

    TE Connectivity AMP-LATCH Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.

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    • onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3.3V / 500 mW max, SOD-523 2-Pin

    onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3.3V / 500 mW max, SOD-523 2-Pin

    : 95Ω, Rest-Sperrstrom max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.

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    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP

    92 x 7.Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP, Topologie: Halbbrücke, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Synchron, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 10.

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    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 0,5 A 20V 8-Pin PDIP, Topologie: Halbbrücke, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Synchron, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 10.92 x 7.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF2R40.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.

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