Infineon OptiMOS P BSO201SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 12,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS P BSO201SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon OptiMOS P BSO201SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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