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Toshiba DTMOSIV TK20J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN

About The : 175 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Toshiba DTMOSIV TK20J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba DTMOSIV TK20J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 175 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba DTMOSIV TK20J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN

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Specifications of Toshiba DTMOSIV TK20J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN

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