reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

About The : 1.Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 mW, 8-Pin PowerPAK SO, Drain-Source-Widerstand max

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 mW, 8-Pin PowerPAK SO, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.04mm, Länge: 5.15mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO
More Varieties

Rating :- 9.47 /10
Votes :- 8