STMicroelectronics STripFET H7 STH270N8F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2, Drain-Source-Widerstand max.: 21 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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STMicroelectronics STripFET H7 STH270N8F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2
Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STH270N8F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2 | |
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