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Infineon IPB70N10S312ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 11,3 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

Infineon IPB70N10S312ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11,3 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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Infineon IPB70N10S312ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon IPB70N10S312ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon IPB70N10S312ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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