Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 1.6A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 8MHz, Tiefe: 1.2mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 2 x 1.2 x 1mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 115mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 74479875210C
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Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 1.6A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 8MHz
Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 1.6A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 8MHz | |
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