Infineon HEXFET IRLR2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.39mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLR2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRLR2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |