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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
Bipolare Transistoren
Infineon

Infineon BC857CE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 MA 250 MHz, SOT-23 3-Pin

About The 3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max

Infineon BC857CE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 50 V, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 650 mV, MPN: BC 857C

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Specifications of Infineon BC857CE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 MA 250 MHz, SOT-23 3-Pin

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Rating :- 9.48 /10
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Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF ±20% / 16V dc, Ø 5mm x 5.8mm, bis 105°C
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    • Microchip Mikrocontroller PIC16F PIC 8bit SMD 1024 x 14 Wörter, 128 B SOIC 14-Pin 20MHz 64 B RAM

    Microchip Mikrocontroller PIC16F PIC 8bit SMD 1024 x 14 Wörter, 128 B SOIC 14-Pin 20MHz 64 B RAM

    Microchip Mikrocontroller PIC16F PIC 8bit SMD 1024 x 14 Wörter, 128 B SOIC 14-Pin 20MHz 64 B RAM, MPN: PIC16F630-I/SL.

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    • HARTING SEK 19 Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 16-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

    HARTING SEK 19 Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 16-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,

    54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: 09195166324.

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    • Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

    Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.6mm.Infineon SIPMOS BSP92PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 260 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.

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    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 2.2kΩ ±5% / 2W

    RS PRO Kohleschicht Widerstand 2.2kΩ ±5% / 2W

    2kΩ ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.

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    Infineon BC857CE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.

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    RS PRO Verbindungskomponente, Nutenstein, Befestigungs- und Anschlusselement für 8mm, M6, L.

    22mm passend für 40 mm.22mm passend für 40 mm, Material: Stahl, Produktfamilie: RS Structural System RS PRO Verbindungskomponente, Nutenstein, Befestigungs- und Anschlusselement für 8mm, M6, L.

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    Infineon BC857CE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin

    : 50 V, Abmessungen: 2.: 650 mV, MPN: BC 857C.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

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