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Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247

About The : +150 °C.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS C6 IPW60R190C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247

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