reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0027 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0027 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
More Varieties

Rating :- 9.47 /10
Votes :- 8