Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0027 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 IPB027N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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