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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Microchip

Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

About The : -20 V, +20 V, Höhe: 5.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max

Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 5.33mm, Länge: 5.2mm

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Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

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Specifications of Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

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Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
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Rating :- 9.41 /10
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Taiwan Semiconductor Diode Einfach 1 Element/Chip SMD Sub SMA 2-Pin Siliziumverbindung 1.3V
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schaltdioden
  • Taiwan Semiconductor
    • KEMET R76_125C, AEC-Q200 Folienkondensator 1nF ±5% / 1 kV dc, 600 V ac, THT Raster 10mm

    KEMET R76_125C, AEC-Q200 Folienkondensator 1nF ±5% / 1 kV dc, 600 V ac, THT Raster 10mm

    1%, Äquivalenter Serienwiderstand: 637mΩ, MPN: R76QF110050H0J.KEMET R76_125C, AEC-Q200 Folienkondensator 1nF ±5% / 1 kV dc, 600 V ac, THT Raster 10mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 13mm, Tiefe: 4mm, Höhe: 9mm, Abmessungen: 13 x 4 x 9mm, Dielektrikum: Polypropylenfolie, Materialfamilie des Dielektrikums: Metallisierter Polypropylen-Film, Verlustleistungsfaktor: 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Folienkondensatoren
  • KEMET
    • RS PRO Linsenkopf Pozidriv Schrauben A2, M6 x 50mm Edelstahl

    RS PRO Linsenkopf Pozidriv Schrauben A2, M6 x 50mm Edelstahl

    RS PRO Linsenkopf Pozidriv Schrauben A2, M6 x 50mm Edelstahl, Kopfform: Flachrund, Erfüllte Normen: DIN 7985, Edelstahltyp: A2 304, Gewindesteigung: 1mm.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Befestigungsmaterial
  • Schrauben
  • Maschinenschrauben
  • RS PRO
    • Legrand Klinken-Buchse 3,5 mm

    Legrand Klinken-Buchse 3,5 mm

    Legrand Klinken-Buchse 3,5 mm, MPN: 0 787 64.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Audio,Video Steckverbinder
  • Klinken Stecker,Buchsen
  • Legrand
    • Siemens SIRIUS Leistungsschütz / 230 V ac Spule, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner / 108 A, Schalten von Kondensatoren

    Siemens SIRIUS Leistungsschütz / 230 V ac Spule, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner / 108 A, Schalten von Kondensatoren

    Siemens SIRIUS Leistungsschütz / 230 V ac Spule, 3 -polig 1 Schließer, 1 Öffner / 108 A, Schalten von Kondensatoren, MPN: 3RT2637-1AP03.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Schütze und Hilfskontakte
  • Schütze
  • Siemens
    • Nichicon UD, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 6.3V dc, Ø 8.3mm x 10mm x 8.3mm, bis 105°C
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  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Nichicon
    • Nichicon WX, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 25V dc, Ø 5mm x 5.4mm x 5.3mm, +85°C

    Nichicon WX, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 25V dc, Ø 5mm x 5.4mm x 5.3mm, +85°C

    3mm, +85°C, Kapazität: 10µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 5.3 x 5.4mm, Betriebstemperatur min.

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  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Nichicon
    • Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92
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    • Nichicon WX, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 25V dc, Ø 5mm x 5.4mm x 5.3mm, +85°C

    Nichicon WX, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 25V dc, Ø 5mm x 5.4mm x 5.3mm, +85°C

    3mm, +85°C, Kapazität: 10µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 5.

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  • Passive Bauelemente
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    • Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

    Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 5.33mm, Länge: 5.Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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