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Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 55MHz

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Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 30mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 55MHz, Qualitätsfaktor min.: 45, Gleichstromwiderstand max.: 600mΩ, Abmessungen: 2 x 1.2 x 0.9mm, Tiefe: 1.2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, MPN: 74479052

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Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 55MHz

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Specifications of Wurth Elektronik WE-MI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 55MHz

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